Showing 25 of 43 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV301N
onsemi
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1 | RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V; • 25 V, 0.22 A continuous, 0.5 A Peak. ; RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 VGS(th) < 1.06; Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model; Replace multiple NPN digital transistors with one DMOS FET | SOT23 (3-Pin) | FDV301N |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV302P
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel Digital FET 25V, 0.68A, 0.45Ω | SOT23 (3-Pin) | FDV302P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV303N
onsemi
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1 | RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V ; RDS(ON) = 0.6 Ω @ VGS= 2.7 V; 25 V, 0.68 A continuous, 2 A Peak; Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.0V; Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model; Compact industry standard SOT-23 surface mount package; Alternative to TN0200T and TN0201T | SOT23 (3-Pin) | FDV303N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV304P
onsemi
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1 | Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.5V.; Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model.; Compact industry standard SOT-23 surface mount package.; -25 V, -0.46 A continuous, -1.5 A Peak. RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V, RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS = -2.7 V | SOT23 (3-Pin) | FDV304P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV305N
onsemi
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1 | RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = 2.5 V; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON); Low gate charge; 0.9 A, 20 V; Fast switching speed; RDS(ON) = 220 mΩ @ VGS = 4.5 V | SOT23 (3-Pin) | FDV305N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV303ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV303ND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV302P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV302P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV304P
Rochester Electronics LLC
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1 | 460mA, 25V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | FDV304P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV303NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV303NS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV304P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV304P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV305N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV305N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV305N
Rochester Electronics LLC
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1 | 900mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | FDV305N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV301ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV301ND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV301N
SLKOR
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1 | FDV301N |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV304PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV304PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV305ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV305ND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV303N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV303N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV303N-F169
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV303N-F169 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV303N
Rochester Electronics LLC
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1 | 680mA, 25V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | FDV303N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV304PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV304PS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV302P-NB8V001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV302P-NB8V001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV301NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV301NS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV301N-NB9V005
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV301N-NB9V005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV303N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV303N_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDV301N-NB9V008
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDV301N-NB9V008 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||