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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34P10TM-F085
onsemi
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1 | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK | Other | FQB34P10TM-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34N20LTM
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK | Other | FQB34N20LTM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34P10TM
onsemi
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1 | P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) | Other | FQB34P10TM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34N20TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 31A, 200V, 0.075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, D2PAK-3 | FQB34N20TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34N20TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3 | FQB34N20TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34N20LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 | FQB34N20LTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34N20TM_AM002
onsemi
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1 | N-Channel QFET® MOSFET 200V, 31A, 75mΩ, TO-263 2L (D2PAK), 6400-TAPE REEL | FQB34N20TM_AM002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34N20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3 | FQB34N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34N20L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3 | FQB34N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34N20TM-AM002
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 60 V, 52.4 A, 21 mΩ, D2PAK | Other | FQB34N20TM-AM002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34P10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | FQB34P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34P10TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 33.5A, 100V, 0.06ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, D2PAK-3 | FQB34P10TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34P10TM_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3 | FQB34P10TM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34N20TM_AM002
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 | FQB34N20TM_AM002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34P10TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3 | FQB34P10TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34N20L
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | FQB34N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34P10
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQB34P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34P10TM_F085
onsemi
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1 | -100V, -33.5A, 60mΩ, D2PAK P-Channel QFET®, TO-263 2L (D2PAK), 6400-TAPE REEL | FQB34P10TM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34P10TM_F085P
onsemi
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0 | FQB34P10TM_F085P |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQB34P10TM-F085P
onsemi
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0 | FQB34P10TM-F085P |
0
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Build or Request |