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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12P10TM-F085
onsemi
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1 | MOSFET P-CH/100V/Q-FET | Other | FQD12P10TM-F085 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20LTM-F085
onsemi
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1 | MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab | Other | FQD12N20LTM-F085 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20LTM-F085P
onsemi
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1 | Trans MOSFET N-CH 200V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK | Other | FQD12N20LTM-F085P |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20LTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD12N20LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD12N20TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 9A, 200V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD12N20TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12P10TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 9.4A, 100V, 0.29ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD12P10TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20LTM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD12N20LTM_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12P10TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD12P10TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12P10TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 9.4A, 100V, 0.29ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD12P10TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12P10TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD12P10TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20LTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 9A, 200V, 0.32ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD12N20LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD12N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20LTM
onsemi
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1 | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level | Other | FQD12N20LTM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD12N20LTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20TM
onsemi
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1 | Fairchild FQD12N20TM N-channel MOSFET Transistor, 9 A, 200 V, 3-Pin DPAK | Other | FQD12N20TM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20LTM_F085
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD12N20LTM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD12N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD12N20TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12N20LTM_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | FQD12N20LTM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12P10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD12P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12P10TM_AS004
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | POWER, FET | FQD12P10TM_AS004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12P10TM_F085
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD12P10TM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12P10TF-NB82105
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Transistor | FQD12P10TF-NB82105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD12P10TM_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2 | FQD12P10TM_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||