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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10LTM
onsemi
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1 | 10A, 100V, RDS(on) = 180mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 5A; 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 20pF); Low gate charge ( Typ. 8.7nC) | Other | FQD13N10LTM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06TM
onsemi
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1 | 10A, 60V, RDS(on) = 140mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 5A; Low Crss ( Typ. 15pF); Low gate charge ( Typ. 5.8nC); 100% avalanche tested | Other | FQD13N06TM |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10TM
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; 10A, 100V, RDS(on) = 180mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 5A; Low Crss ( Typ. 20pF); Low gate charge ( Typ. 12nC) | Other | FQD13N10TM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06LTM
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 4.8nC); 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 17pF); 11A, 60V, RDS(on) = 115mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 5.5A | Other | FQD13N06LTM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 100 V, 10 A, 180 mΩ, DPAK | Other | FQD13N10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06LTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 60V, 0.145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD13N06LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06LTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N06LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N06TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N10TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD13N10TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10LTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 100V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD13N10LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06LTF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N06LTF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06LTM
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 60V, 0.145ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD13N06LTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06TF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N06TF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10LTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N10LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06LTM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N06LTM_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD13N10TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N10LTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N06LTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N06_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N10TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N10L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD13N06L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD13N06TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD13N06TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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