Showing 25 of 47 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N60CTM
onsemi
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1 | Low Crss ( Typ. 6.5pF); 2.8A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 1.4A; RoHS compliant; 100% avalanche tested; Low gate charge ( Typ. 15nC) | Other | FQD5N60CTM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N15TM
onsemi
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1 | Low Gate Charge (Typ. 5.4 nC); Low Crss (Typ. 7.5 pF); 100% Avalanche Tested; 4.3 A, 150 V, RDS(on) = 800 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 2.15 A | Other | FQD5N15TM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N60CTM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD5N60CTM_NL |
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FQD5N50CTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FQD5N50CTF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD5N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N50CTM
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD5N50CTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N50CTM_F105
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD5N50CTM_F105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N50CTM_WS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD5N50CTM_WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD5N40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N60CTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD5N60CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N20LTM
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD5N20LTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N60CTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD5N60CTM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N50CTM_WS
onsemi
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1 | 500V N-Channel Advance QFET® C-Series, TO-252 3L (DPAK), 30000-TAPE REEL | FQD5N50CTM_WS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N50CTM-WS
onsemi
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1 | Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 500 V, 4 A, 1.4 Ω, DPAK, TO-252 3L (DPAK), 2500-REEL | FQD5N50CTM-WS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N15TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD5N15TM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N20LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD5N20LTM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N60CTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.8A, 600V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD5N60CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N50CTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | FQD5N50CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N50CTM_SN00123
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD5N50CTM_SN00123 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N50CTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | FQD5N50CTM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N20LTF
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.8A, 200V, 1.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD5N20LTF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N20TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD5N20TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N15TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.3A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD5N15TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N15
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD5N15 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD5N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD5N30 |
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