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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N30
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 500 V, 3 A, 2.5 Ω, TO-220 | Transistor Outline, Vertical | FQP3N30 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N60C
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 800 V, 3.0 A, 4.8 Ω, TO-220 | Transistor Outline, Vertical | FQP3N60C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N50C-F080
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N50C-F080 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N80C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N80C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N60PWD
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQP3N60PWD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N80C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N80C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N60C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N60C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N50C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N50C
Rochester Electronics LLC
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1 | 3A, 500V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP3N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N50C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N50C_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N80C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N80C_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N90
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.6A, 900V, 4.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP3N90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N25J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP3N25J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N25
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.8A, 250V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP3N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N80J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP3N80J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N30J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N30J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N60
Rochester Electronics LLC
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1 | 3A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP3N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N40J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N40J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N90J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 4.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN | FQP3N90J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP3N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 4.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP3N90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||