Showing 25 of 42 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N80C
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 13nC); 100% avalanche tested; 3A, 800V, RDS(on) = 4.8Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 1.5A; Low Crss ( Typ. 5.5pF) | Transistor Outline, Vertical | FQPF3N80C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF30N06L
onsemi
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1 | Obsolete - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 200 V, 28 A, 82 mΩ, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FQPF30N06L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N90
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.1A, 900V, 4.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF3N90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF3N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N80CYDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF3N80CYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N60_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF3N60_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N60
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF3N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF3N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N80
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.8A, 800V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF3N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N40
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.6A, 400V, 3.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF3N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF3N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.95A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF3N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3P20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF3P20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N80CYDTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 3A, 800V, 4.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF3N80CYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3P20
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.2A, 200V, 2.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF3P20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 900V, 4.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF3N90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N25
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF3N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3P50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF3P50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N25
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.3A, 250V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF3N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF3N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF33N10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF33N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF3N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF3N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF32N12V2
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 120V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF32N12V2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF30N06L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF30N06L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF30N06
Rochester Electronics LLC
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1 | 21A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF30N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||