Showing 25 of 48 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N50CYDTU
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 600 V, 4.5 A, 2.5 Ω, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FQPF5N50CYDTU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5P20
onsemi
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1 | Obsolete - Power MOSFET, P-Channel, QFET, -200 V, -3.4 A, 1.4 Ω, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FQPF5P20 |
3
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FQPF5N60C
onsemi
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1 | Low gate charge (typical 15 nC) ; 4.5A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10V ; Low Crss (typical 6.5 pF) ; Improved dv/dt capability; Fast switching ; 100% avalanche tested | Transistor Outline, Vertical | FQPF5N60C |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N40
onsemi
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1 | Obsolete - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 500 V, 5 A, 1.4 Ω, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FQPF5N40 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF5N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF5N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N50
Rochester Electronics LLC
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1 | 3A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF5N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N50CYDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF5N50CYDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5P10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF5P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N50CT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF5N50CT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N20L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF5N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N15
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.2A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF5N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N80
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.8A, 800V, 2.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF5N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N50C
Rochester Electronics LLC
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1 | 5A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF5N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N15
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF5N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N50CT_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF5N50CT_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N60
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.8A, 600V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | FQPF5N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N30
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 300V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF5N30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5P10
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.9A, 100V, 1.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | FQPF5P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N50CT
Rochester Electronics LLC
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1 | 5A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | FQPF5N50CT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF5N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5P20
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.4A, 200V, 1.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF5P20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N20L
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.5A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF5N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF5N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF5N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF5N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||