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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20LTF
onsemi
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1 | FQT4N20LTF, N-channel MOSFET Transistor 0.85 A 200 V, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | FQT4N20LTF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N25TF
onsemi
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1 | Last Shipments - Power MOSFET, N-Channel, QFET, 100 V, 1.7 A, 350 mΩ, SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | FQT4N25TF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N25TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N25TF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20LTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20LTF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | FQT4N20TF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.85A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | FQT4N20TF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N25D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N25D84Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N25TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.83A, 250V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | FQT4N25TF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | FQT4N20 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20LL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20LL99Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N25L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N25L99Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20D84Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20LS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20LS62Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20L
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQT4N20L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N25S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N25S62Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | FQT4N25 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20LD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20LD84Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20L99Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20LTF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE PACKAGE-4 | FQT4N20LTF_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | FQT4N20L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FQT4N20S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20S62Z |
0
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Build or Request |