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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20LTF
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 4nC); 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 6pF); Low level gate drive requirments allowingdirect operationfrom logic drives; 0.85A, 200V, RDS(on) = 1.35Ω(Typ.) @VGS = 10 V, ID = 0.425A | SOT223 (3-Pin) | FQT4N20LTF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N25TF
onsemi
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1 | Low gate charge ( Typ. 4.3nC); 0.83A, 250V, RDS(on) = 1.75Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.415A; Low Crss ( Typ. 4.8pF) | SOT223 (3-Pin) | FQT4N25TF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20L
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.85A, 200V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | FQT4N20TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N25TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.83A, 250V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | FQT4N25TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N25D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N25D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20LS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20LS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20LL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20LL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N25L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N25L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N25TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N25TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20LD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20LD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20LTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N25S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.83A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N25S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20LTF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20LTF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQT4N20S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQT4N20S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||