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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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600L270GT200T
Kyocera AVX
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1 | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 200volts 27pF 2% NP0 NP0 | Capacitor Chip Non-polarised | 600L270GT200T |
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MTSW-108-07-G-T-200
SAMTEC
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1 | MODIFIED .025 SQUARE POST TERMIN | Other | MTSW-108-07-G-T-200 |
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GT20J341
Toshiba
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1 | Toshiba GT20J341, IGBT Transistor, 20 A 600 V, 100kHz, 3-Pin TO-220SIS | Transistor Outline, Vertical | GT20J341 |
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600L120GT200T
Kyocera AVX
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1 | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 200volts 12pF 2% NP0 NP0 | Capacitor Chip Non-polarised | 600L120GT200T |
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CIGT201610EH2R2MNE
SAMSUNG
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1 | Inductor Power Thin Film 2.2uH 20% 1MHz Metal 2.5A 0.087Ohm DCR 0806 T/R | Inductors Chip | CIGT201610EH2R2MNE |
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MOVGT20V400K
Eaton
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1 | Varistors MOVGT - MOV & GDT Combination, 20 mm disc size, 400 V MCOV | Other | MOVGT20V400K |
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GT20J341,S4X(S
Toshiba
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1 | DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=50 V=1.5 IC=20A | Transistor Outline, Vertical | GT20J341,S4X(S |
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GT20N135SRA,S1E
Toshiba
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1 | IGBT Transistors DISCRET IGBT TRANSTR Vces=1350V Ic=40A | Transistor Outline, Vertical | GT20N135SRA,S1E |
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RGT2012P-103-B-T5
Susumu
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1 | Thin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 0805 size, 0.1W, 10K ohm, 0.1%, 25ppm AEC Q200 Qualified Anti-sulfur | Resistor Chip | RGT2012P-103-B-T5 |
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CIGT201610LH2R2MNE
SAMSUNG
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1 | 2.2 µH Shielded Thin Film Inductor 1.8 A 139mOhm Max 0806 (2016 Metric) | Inductors Chip | CIGT201610LH2R2MNE |
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GT20L16S1Y
Genitop
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0 | SOT23-6 | SOT23 (6-Pin) | GT20L16S1Y |
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RGT2012P-105-B-T5
Susumu
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1 | RES 1 MOHM 0.1% 1/10W 0805 | Resistor Chip | RGT2012P-105-B-T5 |
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NC2600GT200CE4S
Nisshinbo
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1 | ⚫ Portable Communication Devices: Mobile Phones /Smartphones⚫ Digital Cameras and Note-PCs⚫ Li-ion Battery-used Equipment | Small Outline No-lead | NC2600GT200CE4S |
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NC2600GT200BE4S
Nisshinbo
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1 | DFN2020-8-GT | Small Outline No-lead | NC2600GT200BE4S |
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GT20G101
Toshiba
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1 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N−CHANNEL IGBT, 130A,8V,−55~150°C | Other | GT20G101 |
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PHT0603Y1002BGT200
Vishay
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1 | RES SMD 10KOHM 0.1% 0.0375W 0603 | Resistor Chip | PHT0603Y1002BGT200 |
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CIGT201610LH1R0MNE
SAMSUNG
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1 | FIXED IND 1UH 2.8A 57MOHM SMD | Inductors Chip | CIGT201610LH1R0MNE |
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CIGT201608EHR47MNE
SAMSUNG
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1 | FIXED IND 470NH 4.3A 27MOHM SMD | Inductors Chip | CIGT201608EHR47MNE |
3
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GS81280Z36GT-200IV
GSI TECHNOLOGY
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1 | SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M | Quad Flat Packages | GS81280Z36GT-200IV |
3
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GS832036AGT-200I
GSI TECHNOLOGY
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1 | SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M | Quad Flat Packages | GS832036AGT-200I |
3
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CIGT201608LMR24MNE
SAMSUNG
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1 | FIXED IND 240NH 3.6A 23MOHM SMD | Inductors Chip | CIGT201608LMR24MNE |
3
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RGT2012P-121-B-T5
Susumu
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1 | RES 120 OHM 0.1% 1/10W 0805 | Resistor Chip | RGT2012P-121-B-T5 |
3
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CIGT201610EH1R0MNE
SAMSUNG
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1 | RF Inductors - SMD CIGT,Thin Film,0806,1.0uH,1.0?,7 embossed,-20 20% | Inductors Chip | CIGT201610EH1R0MNE |
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NC2600GT200DE4S
Nisshinbo
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1 | ⚫ Input Voltage Range (Maximum Rating):2.3 V to 5.5 V (6.5 V)⚫ Operating Temperature Range: −40 °C to 85 °C⚫ Output Voltage Range:Fixed Output Voltage Type: 0.6 V to 3.3 VAdjustable Output Voltage Type: 0.6 V to 5.5 V⚫ Output Voltage Accuracy: ±1.5% (VSET ≥ 1.2 V)±18 mV (VSET < 1.2 V)⚫ Feedback Voltage Accuracy: ±9 mV⚫ Quiescent Current: Typ. 17 µA⚫ Switching Frequency: Typ.4.0 MHz (VSET = 1.8 V)⚫ UVLO Detection Voltage: Typ.2.0 V⚫ Soft-Start Time: Typ. 0.15 ms When CSS is open.⚫ T | Small Outline No-lead | NC2600GT200DE4S |
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GT20N135SRA
Toshiba
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1 | 1350 V/40 A IGBT, Built-in Diodes, TO-247 | Other | GT20N135SRA |
3
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![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/600L270GT200T.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0T/1405351.1.2.png",null,null])
![Part Image](["//media.rs-online.com/t_large/F7965055-01.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/600L120GT200T.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/CIGT201610EH2R2MNE.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0/18537268.png",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/1/GT20J341,S4X(S.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/1/GT20N135SRA,S1E.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/1/RGT2012P-103-B-T5.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/CIGT201610LH2R2MNE.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0T/1016207.2.1.png",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/1/RGT2012P-105-B-T5.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0T/20676843.2.1.png",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0T/20676833.2.1.png",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0T/22137043.1.6.png",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/PHT0603Y1002BGT200.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/CIGT201610LH1R0MNE.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/CIGT201608EHR47MNE.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/1/GS81280Z36GT-200IV.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/1/GS832036AGT-200I.jpg",null,"//content.supplyframe.com/images/process/fit-in/100x100/p/qfp_100.jpg"])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0T/1218750.2.1.png",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/1/RGT2012P-121-B-T5.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/CIGT201610EH1R0MNE.jpg",null,null])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/2D/0T/20676853.2.1.png",null,null])
![Part Image](["https://toshiba.semicon-storage.com/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/semiconductor/design-development/package-detail/Pkg_img/TO-247.png","https://toshiba.semicon-storage.com/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/semiconductor/design-development/package-detail/Pkg_img/TO-247.png",null])
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