Showing 25 of 66 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT50NR21
Toshiba
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1 | (1) 6.5th generation(2) The RC-IGBT consists of a freewheeling diode monolithically integrated in an IGBT chip.(3) Enhancement mode(4) High-speed switching IGBT : tf = 0.20 µs (typ.) (IC = 50 A) FWD : trr = 0.50 µs (typ.) (IF = 15 A)(5) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.8 V (typ.) (IC = 50 A)(6) High junction temperature : Tj = 175 (max) | Transistor Outline, Vertical | GT50NR21 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT50N322A
Toshiba
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1 | Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V | Transistor Outline, Vertical | GT50N322A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT50NR21,Q(O
Toshiba
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1 | Toshiba GT50NR21,Q(O, IGBT Transistor, 50 A 1050 V, 0.45μs, 3-Pin TO-3P | Other | GT50NR21,Q(O |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT50N324(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | GT50N324(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT50N324
Toshiba America Electronic Components
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel | GT50N324 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT50NR21,Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | GT50NR21,Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT50NR21
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | IGBT, 1050 V, 50 A, Built-in Diodes, TO-3P(N) | GT50NR21 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT50N322A(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | GT50N322A(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A01AGT-50NS-BQ
RCD Components Inc
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1 | Delay Line | A01AGT-50NS-BQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A01SAGT-50NS-BW
RCD Components Inc
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1 | Delay Line | A01SAGT-50NS-BW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGT50NS65DC9
ROHM Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | RGT50NS65DC9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A01SAGT-50NS-B
RCD Components Inc
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1 | Delay Line | A01SAGT-50NS-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KT14-DGT50N-14.850MT
Kyocera AVX Components
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1 | Sine Output Oscillator, 14.85MHz Nom | KT14-DGT50N-14.850MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A0805AGT-50NS-BQ
RCD Components Inc
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1 | Active Delay Line, 1-Func, 5-Tap, True Output, TTL, PDSO8 | A0805AGT-50NS-BQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KT14-KGT50N-19.200MT
Kyocera AVX Components
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1 | Sine Output Oscillator, 19.2MHz Nom | KT14-KGT50N-19.200MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KGT50N60KDA-U/P
KEC
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | KGT50N60KDA-U/P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A02AGT-50NS-BQ
RCD Components Inc
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1 | Delay Line | A02AGT-50NS-BQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A01AGT-50NS-BW
RCD Components Inc
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1 | Delay Line | A01AGT-50NS-BW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXGT50N60B
IXYS Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-268 | IXGT50N60B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A03AGT-50NS-BQ
RCD Components Inc
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1 | Delay Line | A03AGT-50NS-BQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KT14-KGT50N-19.680MT
Kyocera AVX Components
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1 | Sine Output Oscillator, 19.68MHz Nom | KT14-KGT50N-19.680MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KT14-DGT50N-19.200MT
Kyocera AVX Components
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1 | Sine Output Oscillator, 19.2MHz Nom | KT14-DGT50N-19.200MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A02AGT-50NS-B
RCD Components Inc
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1 | Delay Line | A02AGT-50NS-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A02AGT-50NS-BW
RCD Components Inc
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1 | Delay Line | A02AGT-50NS-BW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A02SAGT-50NS-BW
RCD Components Inc
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1 | Delay Line | A02SAGT-50NS-BW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||