Showing 25 of 272 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2197R-EL-E
Renesas Electronics
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1 | The HAT2197R is a Nch Single Power Mosfet 30V 16A 6.7Mohm Sop8. | Small Outline Packages | HAT2197R-EL-E |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2131R-EL-E
Renesas Electronics
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1 | The HAT2131R is a Nch Single Power Mosfet 350V 0.9A 3000Mohm Sop8. | Small Outline Packages | HAT2131R-EL-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2114R
Renesas Electronics
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1 | jgh | Small Outline Packages | HAT2114R |
3
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THAT2162Q16-U
THAT CORPORATION
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1 | •Two Independent Channels•Wide Dynamic Range: >118 dB•Wide Gain Range: >130 dB•Exponential (dB) Gain Control•Low Distortion: 0.05% typ.•Wide Supply Voltage Range: ±2.25V ~ ±16V•Low Supply Current: 5.2 mA typ. (±15V) 3 mA typ. (±5V)•Dual Control Ports (pos/neg)•Low Cost•Small Package (16-pin QSOP) | Small Outline Packages | THAT2162Q16-U |
3
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THAT2181CL08-U
THAT CORPORATION
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1 | AMP, VOLT CONTROLLED, TRIMMABLE, 2181; IC Function:Voltage Controlled Amplifier; Supply Voltage Min:-18V; Supply Voltage Max:18V; IC Package Type:SIP; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Min:0°C; Operating Temperature Max:70°C; RoHS Compliant: Yes | Other | THAT2181CL08-U |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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THAT2180BL08-U
THAT CORPORATION
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1 | AMP, VOLT CONTROLLED, PRETRIM, 2180 | Transistor Outline, Vertical | THAT2180BL08-U |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2108R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 28V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2108R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2171H
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2171H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2172H-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2172H-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2114RJ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2114RJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2160H-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 20V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2160H-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2168N-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2168N-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2172H
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2172H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2171H-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2171H-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2141H
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2141H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2173H-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2173H-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2179R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2179R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2191WP-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.138ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2191WP-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2119H
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2119H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2139H
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2139H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2165H-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2165H-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2167H-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2167H-EL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2196C-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2196C-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2134H
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 20V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2134H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2141H-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2141H-EL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||