Showing 25 of 52 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HGTG30N60C3D
onsemi
|
1 | Last Shipments - 600V, SMPS IGBT | Transistor Outline, Vertical | HGTG30N60C3D |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60A4D
onsemi
|
1 |
Typical Fall Time. . . . . . . . . . 60ns at TJ = 125&°C; Low Conduction Loss; |
Transistor Outline, Vertical | HGTG30N60A4D |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60A4
onsemi
|
1 | Typical Fall Time. . . . . . . . . . 58ns at TJ = 125°C; Low Saturation Voltage : V CE(sat) = 1.8 V @ I C = 30A; Low Conduction Loss; 60A, 600V @ TC = 110°C | Transistor Outline, Vertical | HGTG30N60A4 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N120E2
Harris Semiconductor
|
0 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | HGTG30N120E2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60A4_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60A4_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60A4D
Intersil Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60A4D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60C3D
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60C3D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60A4D
Rochester Electronics LLC
|
1 | 75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247, TO-247, 3 PIN | HGTG30N60A4D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60A4D_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60A4D_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60B3D
onsemi
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60B3D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N120B3
Intersil Corporation
|
1 | 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | HGTG30N120B3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60C3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60C3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60B3D
Rochester Electronics LLC
|
1 | 60A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247, TO-247, 3 PIN | HGTG30N60B3D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60A4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60A4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60B3
onsemi
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60B3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N120D2
Intersil Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | HGTG30N120D2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60B3D
Harris Semiconductor
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60B3D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60A4D
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60A4D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60B3D_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60B3D_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60B3
Harris Semiconductor
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG30N60B3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG32N60E2
Rochester Electronics LLC
|
1 | 50A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | HGTG32N60E2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60C3D
Rochester Electronics LLC
|
1 | 63A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | HGTG30N60C3D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG34N100E2
Intersil Corporation
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel | HGTG34N100E2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG34N100E2
Harris Semiconductor
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | HGTG34N100E2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HGTG30N60MW
Micross Components
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | HGTG30N60MW |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||