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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUTN12S5N017ATMA1
Infineon
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1 | Kanał N 120 V Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-1 | Other | IAUTN12S5N017ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUTN06S5N008ATMA1
Infineon
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1 | 60V, N-Ch, 0,76 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLL, OptiMOS™ 5 | Other | IAUTN06S5N008ATMA1 |
3
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IAUTN08S5N012L
Infineon
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1 | OptiMOS™ 5 Power-Transistor MOSFETs MOSFET_(75V 120V( N-Channel PG-HSOF-8-2 | Other | IAUTN08S5N012L |
2
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IAUTN15S6N025TATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) | Small Outline Packages | IAUTN15S6N025TATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUTN15S6N025ATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12) | Other | IAUTN15S6N025ATMA1 |
3
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IAUTN06S5N008GATMA1
Infineon
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1 | Power MOSFET, N Channel, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Surface Mount | Other | IAUTN06S5N008GATMA1 |
2
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IAUTN12S5N018TATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 120V 309A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R | Other | IAUTN12S5N018TATMA1 |
3
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IAUTN06S5N008TATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 136A (Ta), 350A (Tj) 358W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2 , -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | IAUTN06S5N008TATMA1 |
3
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IAUTN12S5N018G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 120V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUTN12S5N018G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUTN06S5N008T
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 60V, 0.00079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUTN06S5N008T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUTN12S5N018GATMA1
Infineon
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1 | 120V, N-Ch, 1.8 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLG, OptiMOS™ 5 | IAUTN12S5N018GATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUTN12S5N017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 120V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUTN12S5N017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUTN12S5N018T
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 120V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUTN12S5N018T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUTN06S5N008G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 60V, 0.00078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUTN06S5N008G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUTN08S5N012LATMA1
Infineon
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1 | 80V, N-Ch, 1.15 mΩ or 9.0 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS™ 5 | IAUTN08S5N012LATMA1 |
1
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IAUTN06S5N008
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 60V, 0.00076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUTN06S5N008 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAUTN15S6N038TATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15) | IAUTN15S6N038TATMA1 |
1
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