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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R045M1H
Infineon
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1 | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology -55~175°C,47A | Other | IMBG120R045M1H |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 26A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 | Other | IMBG120R090M1HXTMA1 |
3
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IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 41A (Tc) 205W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 | Other | IMBG120R053M2HXTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon
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1 | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | Other | IMBG120R017M2HXTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon
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1 | MOSFET SIC DISCRETE | Other | IMBG120R045M1HXTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 18A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 | Other | IMBG120R140M1HXTMA1 |
2
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IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 87A (Tc) 385W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 | Other | IMBG120R022M2HXTMA1 |
3
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IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 29A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 | Other | IMBG120R078M2HXTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 144A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 , -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | IMBG120R012M2HXTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 14.9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 , -55 °C ~ +175 °C (TJ) | Other | IMBG120R181M2HXTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon
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1 | CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET | Other | IMBG120R008M2HXTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 21.2A (Tc) 123W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12,5.1V @ 1.9mA,15V, 18V -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | IMBG120R116M2HXTMA1 |
2
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AIMBG120R020M1XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 104A (Tc) 468W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 -55°C ~ 175°C (TJ) 2667 pF @ 800 V 23V, -5V 5.1V @ 15mA | Other | AIMBG120R020M1XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R080M1XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 30A Surface Mount PG-TO263-7-12 | Other | AIMBG120R080M1XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R090M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1200V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R090M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R022M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 87A I(D), 1200V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R022M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1200V, 0.372ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R220M1HXTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R053M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 1200V, 0.137ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R053M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R234M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 1200V, 0.622ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R234M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R012M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 144A I(D), 1200V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R012M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R030M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1200V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R030M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R220M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1200V, 0.372ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R220M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R140M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1200V, 0.239ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R140M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R008M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 189A I(D), 1200V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R008M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMBG120R181M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 1200V, 0.482ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IMBG120R181M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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