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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R048M1HXKSA1
Infineon
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1 | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | Transistor Outline, Vertical | IMW65R048M1HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R027M1H
Infineon
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1 | N-CH 650V 47A 27mOhm bei 18V | Transistor Outline, Vertical | IMW65R027M1H |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R015M2HXKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 93A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-40 | Transistor Outline, Vertical | IMW65R015M2HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R072M1HXKSA1
Infineon
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1 | MOSFET 650VCoolSiCªM1SiCTrenchPowerDevice | Transistor Outline, Vertical | IMW65R072M1HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R083M1HXKSA1
Infineon
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1 | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | Transistor Outline, Vertical | IMW65R083M1HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R057M1HXKSA1
Infineon
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1 | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | Transistor Outline, Vertical | IMW65R057M1HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R039M1HXKSA1
Infineon
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1 | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | Transistor Outline, Vertical | IMW65R039M1HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R027M1HXKSA1
Infineon
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1 | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | Transistor Outline, Vertical | IMW65R027M1HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R030M1HXKSA1
Infineon
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1 | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | Transistor Outline, Vertical | IMW65R030M1HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R060M2HXKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 32.8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-40 , 5.6V @ 3.1mA , -55°C ~ 175°C | Other | IMW65R060M2HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R007M2HXKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 171A (Tc) 625W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-U06 | Transistor Outline, Vertical | IMW65R007M2HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R040M2HXKSA1
Infineon
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1 | •Ultra-lowswitchinglosses•Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V•Robustagainstparasiticturn-onevenwith0Vturn-offgatevoltage•Flexibledrivingvoltageandcompatiblewithbipolardrivingscheme•Robustbodydiodeoperationunderhardcommutationevents•.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermalperformance | Transistor Outline, Vertical | IMW65R040M2HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R026M2HXKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 64A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-40 | Transistor Outline, Vertical | IMW65R026M2HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R107M1HXKSA1
Infineon
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1 | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | Transistor Outline, Vertical | IMW65R107M1HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R020M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMW65R020M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R040M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMW65R040M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R072M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 650V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMW65R072M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R107M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 650V, 0.142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMW65R107M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R015M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 650V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMW65R015M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R033M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 650V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Trench Mosfet FET, TO-247 | IMW65R033M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R050M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 650V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMW65R050M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R048M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 650V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMW65R048M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R030M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 650V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMW65R030M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R050M2HXKSA1
Infineon
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0 | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | IMW65R050M2HXKSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMW65R020M2HXKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-40 | IMW65R020M2HXKSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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