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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB019N06L3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB019N06L3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB010N06N
Infineon
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1 | Infineon IPB010N06N N-channel MOSFET, 180 A, 60 V OptiMOS 5, 7-Pin D2PAK | Other | IPB010N06N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB010N06NATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 | Other | IPB010N06NATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB019N08N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | Other | IPB019N08N3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB017N10N5ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 | Other | IPB017N10N5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB014N06NATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 | Other | IPB014N06NATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB017N10N5LFATMA1
Infineon
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1 | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | Other | IPB017N10N5LFATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB014N06N
Infineon
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1 | Infineon IPB014N06N N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 60 V, 7-Pin TO-263 | Other | IPB014N06N |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB015N08N5ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 | Other | IPB015N08N5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB011N04LGATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 40 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 | Other | IPB011N04LGATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB017N06N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | Other | IPB017N06N3GATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB015N04L G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB015N04L G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB017N06N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | Other | IPB017N06N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB019N08N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | Other | IPB019N08N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB019N08NF2SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 80 V 166A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB019N08NF2SATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB011N04L G
Infineon
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1 | Infineon IPB011N04L G N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 40 V, 7-Pin TO-263 | Other | IPB011N04L G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB019N06L3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB019N06L3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB017N10N5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB017N10N5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB015N04NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB015N04NGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB019N08N5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB019N08N5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB016N06L3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB016N06L3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB015N04LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB015N04LGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB011N04LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB011N04LGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB011N04NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB011N04NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB015N04NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB015N04NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||