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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB026N06NATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB026N06NATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB024N08NF2S
Infineon
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1 | Strong IRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in D²PAK packagenn | Other | IPB024N08NF2S |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB025N10N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-ch OptiMOS3 100V 180A TO263-7 | Other | IPB025N10N3GATMA1 |
3
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IPB027N10N5
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET VDS=100V, RDS(on),max=2.7mΩ, ID=166A, Qoss=142nC, PG-TO 263-3 | Other | IPB027N10N5 |
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IPB027N10N5ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB027N10N5ATMA1 |
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IPB027N10N3GATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3 | Other | IPB027N10N3GATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB026N06N
Infineon
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1 | Infineon IPB026N06N N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB026N06N |
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IPB020N10N5
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 | Other | IPB020N10N5 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB020N10N5LFATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 120A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB020N10N5LFATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB020N10N5ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 | Other | IPB020N10N5ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB020N08N5ATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263 | Other | IPB020N08N5ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB025N10N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | Other | IPB025N10N3 G |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB027N10N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB027N10N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB020NE7N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB020NE7N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB029N06NF2SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 26A (Ta), 120A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB029N06NF2SATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB027N10N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB027N10N3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB023N06N3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 60V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-7 | IPB023N06N3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB024N08N5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | IPB024N08N5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB027N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB027N10N3GE8187ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB025N08N3GATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB025N08N3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB025N08N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB025N08N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB027N10N5E8187ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2 | IPB027N10N5E8187ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB029N06N3GE8187ATMA1
Infineon
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1 | Infineon IPB029N06N3GE8187ATMA1 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-263 | IPB029N06N3GE8187ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB022N04LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB022N04LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB021N06N3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 | IPB021N06N3GATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||