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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB036N12N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | Other | IPB036N12N3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB033N10N5LFATMA1
Infineon
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1 | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | Other | IPB033N10N5LFATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB031N08N5
Infineon
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1 | MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 | Other | IPB031N08N5 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB037N06N3GATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB037N06N3GATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB034N03LGATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Other | IPB034N03LGATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB039N10N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3 | Other | IPB039N10N3GATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB038N12N3GATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB038N12N3GATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB039N10N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3 | Other | IPB039N10N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB035N08N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB035N08N3 G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB038N12N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB038N12N3 G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB037N06N3 G
Infineon
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1 | Infineon IPB037N06N3 G N-channel MOSFET Transistor, 90 A, 60 V, 3-Pin TO-263 | Other | IPB037N06N3 G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB034N03L G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB034N03L G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB030N08N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB030N08N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB031NE7N3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB031NE7N3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB034N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB034N03LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB035N08N3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB035N08N3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB03N03LA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB03N03LA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB035N08N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB035N08N3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB034N06L3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB034N06L3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB037N06N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB037N06N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB039N10N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA | IPB039N10N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB033N10N5LF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 159A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB033N10N5LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB034N06N3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB034N06N3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB032N10N5ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 166A I(D), 100V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB032N10N5ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB031NE7N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB031NE7N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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