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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB042N10N3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK -2 OptiMOS 3 | Other | IPB042N10N3GATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB049N08N5ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 | Other | IPB049N08N5ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB042N10N3GE8187ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH >=100V | Other | IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB044N15N5ATMA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Power MOSFET, N Channel, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | Other | IPB044N15N5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB048N15N5ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 | Other | IPB048N15N5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB048N15N5LFATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Other | IPB048N15N5LFATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04CN10N G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 - 20 V, + 20 V,300 W - 55 C + 175 C | Other | IPB04CN10N G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB042N10N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPB042N10N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04N03L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB04N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04N03LB
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB04N03LB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB041N04NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB041N04NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB049N06L3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB049N06L3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04N03LAGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB04N03LAGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB042N03LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB042N03LGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04N03LA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB04N03LA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04N03LA
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 25V, 0.0064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB04N03LA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB043N10NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 135A I(D), 100V, 0.00435ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB043N10NF2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB049N06L3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB049N06L3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB049NE7N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB049NE7N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04N03LAG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 25V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB04N03LAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB048N15N5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB048N15N5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04CN10NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB04CN10NGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB049NE7N3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB049NE7N3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB048N15N5LF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 150V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB048N15N5LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB042N03LGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB042N03LGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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