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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB117N20NFD
Infineon
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1 | Infineon IPB117N20NFD N-channel MOSFET Transistor, 84 A, 200 V, 3+Tab-Pin TO-263 | Other | IPB117N20NFD |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB110P06LMATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Other | IPB110P06LMATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB117N20NFDATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 | Other | IPB117N20NFDATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB110N20N3LFATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 | Other | IPB110N20N3LFATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB110N20N3LF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB110N20N3LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB110N06LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB110N06LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB11N03LA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB11N03LA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB114N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB114N03LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB11N03LAG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB11N03LAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB110P06LM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB110P06LM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||