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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD03
Seagate Technology
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1 | Micro Peripheral IC | IPD03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD031N03LGATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Other | IPD031N03LGATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD038N06NF2S
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 20A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | Other | IPD038N06NF2S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD031N06L3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPD031N06L3GATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD034N06N3G
Infineon
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1 | Infineon IPD034N06N3G N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD034N06N3G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD036N04LGATMA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 40V 90A T/R | Other | IPD036N04LGATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD034N06N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPD034N06N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD038N06N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPD038N06N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD038N04NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD038N04NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD038N04NGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD038N04NGBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD038N06N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD038N06N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD036N04LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD036N04LGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD033N06NATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD033N06NATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD031N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD031N03LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD035N06L3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 162A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD035N06L3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD03N03LAG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD03N03LAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD031N03LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD031N03LGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD034N06N3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD034N06N3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD031N06L3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD031N06L3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD031N06L3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD031N06L3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD035N06L3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 162A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD035N06L3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD038N06N3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD038N06N3GATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD036N04LGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD036N04LGBTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD031N03LGHF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD031N03LGHF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD031N03LGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD031N03LGBTMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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