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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP041N12N3GXKSA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | Transistor Outline, Vertical | IPP041N12N3GXKSA1 |
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IPP045N10N3GXKSA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Through Hole | Transistor Outline, Vertical | IPP045N10N3GXKSA1 |
3
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IPP041N04NGXKSA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Power MOSFET, N Channel, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Through Hole | Transistor Outline, Vertical | IPP041N04NGXKSA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP040N06N
Infineon
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1 | MOSFET N Channel 60V 90A(Tc) 4V @ 90uA 4mΩ @ 90A,10V PG-TO220-3 RoHS | Transistor Outline, Vertical | IPP040N06N |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP040N06N3 G
Infineon
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1 | Infineon IPP040N06N3 G N-channel MOSFET Transistor, 90 A, 60 V, 3-Pin TO-220 | Transistor Outline, Vertical | IPP040N06N3 G |
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IPP042N03L G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | Transistor Outline, Vertical | IPP042N03L G |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP044N03LF2SAKSA1
Infineon
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1 | MOSFETs N StrongIRFET™ 2 Power ‑Transistor, 30 V PG‑TO220‑3 | Transistor Outline, Vertical | IPP044N03LF2SAKSA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP041N12N3 G
Infineon
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1 | Infineon IPP041N12N3 G N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 120 V, 3-Pin TO-220 | Transistor Outline, Vertical | IPP041N12N3 G |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP045N10N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | Transistor Outline, Vertical | IPP045N10N3 G |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP040N06NF2SAKMA1
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 80A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 | Transistor Outline, Vertical | IPP040N06NF2SAKMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP040N08NF2SKMA1
Infineon
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1 | StrongIRFET 2Power-Transistor, N-Channel, RoHS, Avalanche Tested, PGTO-220 | Transistor Outline, Vertical | IPP040N08NF2SKMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP04N03L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP04N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP040N08NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 115A I(D), 80V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP040N08NF2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP040N06NAKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP040N06NAKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP041N04NGHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP041N04NGHKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP04CNE8NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP04CNE8NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP042N03LGXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP042N03LGXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP04N03LBG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP04N03LBG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP048N12N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP048N12N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP048N06LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP048N06LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP045N10N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP045N10N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP042N03LGHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP042N03LGHKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP040N06NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 109A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP040N06NF2S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP040N06N3GXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP040N06N3GXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP048N04NGXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP048N04NGXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||