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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP060N06N
Infineon
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1 | Infineon IPP060N06N N-channel MOSFET Transistor, 45 A, 60 V, 3-Pin TO-220 | Transistor Outline, Vertical | IPP060N06N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP065N04NG
Infineon
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1 | N-Channel 40 V 50A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 | Transistor Outline, Vertical | IPP065N04NG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP06N03LA
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3 | Transistor Outline, Vertical | IPP06N03LA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP069N20NM6AKSA1
Infineon
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1 | MOSFETs IFX FET >150 - 400V | Transistor Outline, Vertical | IPP069N20NM6AKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP06CN10LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP06CN10LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP065N06LGAKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP065N06LGAKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP06CN10NGHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP06CN10NGHKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP065N06LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP065N06LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP06CNE8NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP06CNE8NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP06CN10NGXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP06CN10NGXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP06N03LA
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 25V, 0.0099ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | IPP06N03LA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP06CN10LGHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP06CN10LGHKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP060N06NAKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP060N06NAKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP062NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP062NE7N3GXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP065N03LGXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP065N03LGXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP06N03LAHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP06N03LAHKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP06CN10NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP06CN10NG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP065N04NGXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP065N04NGXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP062NE7N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP062NE7N3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP06CN10LGXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP06CN10LGXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP065N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP065N03LG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M2018-50IP-P068
AMD
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1 | Field Programmable Gate Array, 100 CLBs, 1800 Gates, 50MHz, 100-Cell, CMOS, CPGA68 | M2018-50IP-P068 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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F200-H43-DDIPP-06
SunLight
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1 | Board Connector, 6 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.079 inch Pitch, Solder Terminal, Plug | F200-H43-DDIPP-06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||