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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N10S3-05
Infineon
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1 | 100V, N-Ch, 5.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T | Transistor Outline, Vertical | IPP100N10S3-05 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N08S2L-07
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS | Transistor Outline, Vertical | IPP100N08S2L-07 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N12S305AKSA1
Infineon
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1 | 120V, N-Ch, 5.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T | Transistor Outline, Vertical | IPP100N12S305AKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N06S2L05AKSA2
Infineon
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1 | 55V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™ | Transistor Outline, Vertical | IPP100N06S2L05AKSA2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP10N03L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP10N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N06S205XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N06S205XK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP10N03LBG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP10N03LBG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N04S2L03AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N04S2L03AKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N06S2-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N06S2-05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N04S303AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N04S303AKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N04S4H2AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N04S4H2AKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N04S2-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N04S2-04 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N06S303AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N06S303AKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N06S205AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N06S205AKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N04S2L03XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N04S2L03XK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N08N3GXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N08N3GXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N06S3L04AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N06S3L04AKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N08N3GHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N08N3GHKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N08S2-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N08S2-07 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N06S3L03AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N06S3L03AKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N06S2L05AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N06S2L05AKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N04S204XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N04S204XK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N08N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N08N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N04S3-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N04S3-03 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP100N06S2L05XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP100N06S2L05XK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||