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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R060C7XKSA1
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Other | IPZ60R060C7XKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R040C7XKSA1
Infineon
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1 | INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V | Other | IPZ60R040C7XKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R017C7XKSA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | Other | IPZ60R017C7XKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R040C7
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW MOSFET Metal Oxide Semi conductor Field Effect Transistor | Other | IPZ60R040C7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R099C7XKSA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | Other | IPZ60R099C7XKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R099C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPZ60R099C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R125P6FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPZ60R125P6FKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R070P6FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPZ60R070P6FKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R041P6FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPZ60R041P6FKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R125P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPZ60R125P6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R037P7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPZ60R037P7XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R070P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPZ60R070P6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R060C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPZ60R060C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R037P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPZ60R037P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R041P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPZ60R041P6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R099P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPZ60R099P6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R017C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 109A I(D), 600V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPZ60R017C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPZ60R099P6FKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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