Showing 25 of 72 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM120ATF
onsemi
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1 | Lower Input Capacitance; Rugged Gate Oxide Technology; Improved Gate Charge; Avalanche Rugged Technology; Extended Safe Operating Area; Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100 V; Lower rDS(on) : 0.155 Ω (Typ.) | SOT223 (3-Pin) | IRFM120ATF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150
Infineon
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1 | Hexfet Transistor N-Channel Mosfet | Transistor Outline, Vertical | IRFM150 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM110ATF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM110ATF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM150-QR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM110A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM110A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM110AD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM110AD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM140
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM1310ST
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM1310ST |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM140-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM140-JQR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM140-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM140-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM140PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM140PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM120A
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.3A, 100V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFM120A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM150PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150-QR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM150-QR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM150R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM150R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150-QR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM150-QR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM140PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM140PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM110AS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFM110AS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM140DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM140DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM140UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM140UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFM150DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFM150
Sensitron Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFM150 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||