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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640A
onsemi
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1 | Obsolete - Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, A-FET, 200 V, 18 A, 180 mΩ, TO-220 | Transistor Outline, Vertical | IRL640A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640PBF
Vishay
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1 | Trans MOSFET N-CH 200V 17A | Transistor Outline, Vertical | IRL640PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640SPBF
Vishay
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1 | IRL640SPBF, N-channel MOSFET Transistor, 17 A 200 V, 3-Pin D2PAK | TO-XXX (Inc. DPAK) | IRL640SPBF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640SPBF
Vishay
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1 | IRL640SPBF, N-channel MOSFET Transistor, 17 A 200 V, 3-Pin D2PAK | TO-XXX (Inc. DPAK) | IRL640SPBF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640STRLPBF
Vishay
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1 | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | Other | IRL640STRLPBF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640STRLPBF
Vishay
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1 | MOSFET N-Chan 200V 17 Amp | Other | IRL640STRLPBF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640PBF-BE3
Vishay
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1 | MOSFET 200V N-CH HEXFET | Transistor Outline, Vertical | IRL640PBF-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640PBF
Vishay
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1 | Trans MOSFET N-CH 200V 17A | Transistor Outline, Vertical | IRL640PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640S
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN | IRL640S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640SR
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | IRL640SR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640SU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, I2PAK-3 | IRL640SU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN | IRL640J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, 3 PIN | IRL640SPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640STRRPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, 3 PIN | IRL640STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | IRL640PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL640LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640STRRPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, SMD-220, 3 PIN | IRL640STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRL640A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRL640A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, 3 PIN | IRL640STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL640L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640STRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, 3 PIN | IRL640STRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL640 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRL640 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL640APWD
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Transistor | IRL640APWD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||