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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117T4
STMicroelectronics
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1 | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V , 2 A, 25MHz 20 W Surface Mount DPAK, 20µA, 20 W, -65 °C to 150 °C | Other | MJD117T4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD112T4
STMicroelectronics
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK , 150°C | Other | MJD112T4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117T4G
onsemi
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1 | Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix); High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 2.0 Adc; Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors; Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix); Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("1" Suffix); Surface Mount Replacements for TIP110-TIP117 Series; Complementary Pairs Simplifies Designs; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q | Other | MJD117T4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD112RLG
onsemi
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1 | Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix); High DC Current Gain hFE = 2,500 (Typ) @ IC = 2.0 Adc; Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors; Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix); Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("1" Suffix); Surface Mount Replacements for TIP110-TIP117 Series; Complementary Pairs Simplifies Designs; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC- | Other | MJD112RLG |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117-001G
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD117-001G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117-001
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD117-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD112-1
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,2A I(C),TO-221 | MJD112-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117L
KEC
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | MJD117L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD112-1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD112-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD112(TO-251-2)
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Transistor | MJD112(TO-251-2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 | MJD117 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), PNP | MJD117 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD117-TP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117
KEC
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | MJD117 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD112
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 | MJD112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117-1
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD117-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD112
KEC
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117I
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD117I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117-1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD117-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD112(TO-251)
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Transistor | MJD112(TO-251) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD112-1
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD112-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117(TO-251)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | MJD117(TO-251) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD112(TO-252-2)
Bytesonic Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD112(TO-252-2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, | MJD117 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD117T4
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD117T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/MJD117T4.jpg",null,"//content.supplyframe.com/images/process/fit-in/100x100/p/to252_3.jpg"])
![Part Image](["https://componentsearchengine.com/Images/9/MJD112T4.jpg",null,"//content.supplyframe.com/images/process/fit-in/100x100/p/to252_3.jpg"])
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