Showing 25 of 38 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210G
onsemi
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1 | MJD200 is the complementary NPN device; High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc; Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB; These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant; Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.30 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc; Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Contro | Other | MJD210G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210RLG
onsemi
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1 | MJD200 is the complementary NPN device; High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc; Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB; These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant; Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.30 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc; Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Contro | Other | MJD210RLG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210
Rochester Electronics LLC
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1 | 5A, 25V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369A, DPAK-3 | MJD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210(TO-252)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1-Element, PNP | MJD210(TO-252) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,PNP,24V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252 | MJD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210-1
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,PNP,24V V(BR)CEO,5A I(C),TO-221 | MJD210-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD210-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210RL
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,PNP,24V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252 | MJD210RL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD210TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210-1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD210-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210T4G
onsemi
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1 | MJD200 is the complementary NPN device; High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc; Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB; These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant; Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.30 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc; Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Contro | MJD210T4G |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210L(TO-252)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1-Element, PNP | MJD210L(TO-252) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210-I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 | MJD210-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210T4
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD210T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210RL
Rochester Electronics LLC
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1 | 5A, 25V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369A, DPAK-3 | MJD210RL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD210-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210-I
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD210-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 5A, 25V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 | MJD210TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD210G-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210L-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD210L-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD210G-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD210
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1-Element, PNP | MJD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||