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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD29 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252 | MJD29 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN | MJD29 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29
Motorola Semiconductor Products
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1 | Transistor | MJD29 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD2955G
onsemi
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1 | Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix); DC Current Gain Specified to 10 Amperes; Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055; Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix); High Current Gain-Bandwidth Product fT = 2.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These are PbFr | Other | MJD2955G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD2955TF
onsemi
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1 | Obsolete - 10 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor | Other | MJD2955TF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD2955T4G
onsemi
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1 | Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix); DC Current Gain Specified to 10 Amperes; Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055; Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix); High Current Gain-Bandwidth Product fT = 2.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These are PbFr | Other | MJD2955T4G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NJVMJD2955T4G
onsemi
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1 | Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix); DC Current Gain Specified to 10 Amperes; Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055; Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix); High Current Gain-Bandwidth Product fT = 2.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; These are PbFr | Other | NJVMJD2955T4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD29C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29C
Motorola Semiconductor Products
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1 | Transistor | MJD29C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29C
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN | MJD29C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD29TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29-1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD29-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29C-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD29C-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29C-I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD29C-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29-I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD29-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29CI
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3 | MJD29CI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3 | MJD29I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD29-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29CTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD29CTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29CITU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD29CITU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD29C-1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD29C-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD2955T4
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 | MJD2955T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD2955
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252 | MJD2955 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD2955TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD2955TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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