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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11RLG
onsemi
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1 | Complementary Pairs Simplifies Designs; Low Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes; Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix); Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount ("T4" Suffix); Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series; Fast Switching Speeds; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 | Other | MJD45H11RLG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11J
Nexperia
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1 | 80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor | Other | MJD45H11J |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11T4
STMicroelectronics
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1 | MJD45H11T4, PNP Bipolar Transistor, 8 A 80 V HFE:40 Power, 3-Pin D-PAK , 150°C , TO-252-3, DPAK | Other | MJD45H11T4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11T4G
onsemi
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1 | Complementary Pairs Simplifies Designs; Low Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes; Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix); Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount ("T4" Suffix); Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series; Fast Switching Speeds; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 | Other | MJD45H11T4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11-1G
onsemi
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 90MHz 1.75 W Through Hole IPAK | Transistor Outline, Vertical | MJD45H11-1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11AJ
Nexperia
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1 | Bipolar Transistors - BJT TRANS BIPOLAR | Other | MJD45H11AJ |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45C-TP
MCC
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1 | PNP Power Transistor VcBO -100V VCEO -80 V , IC -8 A , PD 1.25 W | Other | MJD45C-TP |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NJVMJD45H11T4G
onsemi
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1 | Complementary Pairs Simplifies Designs; Low Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes; Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix); Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount ("T4" Suffix); Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series; Fast Switching Speeds; NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 | Other | NJVMJD45H11T4G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NJVMJD45H11T4G-VF01
onsemi
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1 | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR | Other | NJVMJD45H11T4G-VF01 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 | MJD45H11TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11TM
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD45H11TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD45H11TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11RLG
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 | MJD45H11RLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11T4
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD45H11T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11G
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 | MJD45H11G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11T4G
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 | MJD45H11T4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11-1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | MJD45H11-1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11
STMicroelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD45H11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11-1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD45H11-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 | MJD45H11TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11-1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD45H11-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD45H11-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11-1
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD45H11-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD45H11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD45H11TF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD45H11TF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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