Showing 25 of 126 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP6060
onsemi
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1 | High density cell design for extremely low RDS(ON).; Rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor.; TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both through hole and surface mount applications.; Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature.; 175°C maximum junction temperature rating.; 48A, 60V. RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=10V. | Transistor Outline, Vertical | NDP6060 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP6060L
onsemi
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1 | TO-220 and TO-263 (D2PAK) package for both through hole and surface mount applications.; 48A, 60V. RDS(ON) = 0.025Ω @ VGS = 5V.; High density cell design for extremely low RDS(ON).; Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature.; 175°C maximum junction temperature rating.; Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers. VGS(TH) < 2.0V.; Rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor. | Transistor Outline, Vertical | NDP6060L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP6020P
Rochester Electronics LLC
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1 | 24A, 20V, 0.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | NDP6020P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP608BEL
Texas Instruments
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1 | 32A, 80V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | NDP608BEL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP605A
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor | NDP605A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP606BL
Texas Instruments
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1 | 44A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | NDP606BL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP605AEL
Texas Instruments
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1 | 48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | NDP605AEL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP608AS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 80V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP608AS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP605AL
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDP605AL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP605BL
Texas Instruments
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1 | 42A, 50V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | NDP605BL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP605BEL
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP605BEL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP605AL
Texas Instruments
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1 | 48A, 50V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | NDP605AL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP6020
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP6020 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP6060L
Texas Instruments
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1 | 48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | NDP6060L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP606AL
Texas Instruments
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1 | 48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | NDP606AL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP608BE
Texas Instruments
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1 | 32A, 80V, 0.045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | NDP608BE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP6060L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP6060L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP6060S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP6060S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP605A
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP605A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP606A
Texas Instruments
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1 | 48A, 60V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | NDP606A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP6020PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP6020PS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP605BL
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP605BL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP6050L
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP6050L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP6060
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP6060 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDP606A
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NDP606A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||