Showing 25 of 47 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NDS332P
onsemi
|
1 | Proprietary package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities; High density cell design for extremely low RDS(ON); Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits VGS(th) < 1.0V; -1 A, -20 V RDS(ON) = 0.41Ω @ VGS= -2.7 V RDS(ON) = 0.3 Ω @ VGS = -4.5 V; Exceptional on-resistance and maximum DC current capability; Compact industry standard SOT-23 surface Mount package | SOT23 (3-Pin) | NDS332P |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N
onsemi
|
1 | 1.3 A, 20 V RDS(ON) = 0.21Ω @ VGS= 2.7 V RDS(ON) = 0.16 Ω @ VGS= 4.5 V ; High density cell design for extremely low RDS(ON) ; Industry standard outline SOT-23 surface mount package using poprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities ; Exceptional on-resistance and maximum DC current capability | SOT23 (3-Pin) | NDS331N |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS335N
National Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NDS335N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS331N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS332P
National Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NDS332P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS335NL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS335NL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS335N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS335N_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS335ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS335ND87Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS335N/L99Z
Texas Instruments
|
1 | 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS335N/L99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS332P/L99Z
Texas Instruments
|
1 | 1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS332P/L99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS331N_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS335N/S62Z
Texas Instruments
|
1 | 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS335N/S62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS335N/D87Z
Texas Instruments
|
1 | 1700mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS335N/D87Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS335N
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS335N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS332P
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NDS332P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N/L99Z
Texas Instruments
|
1 | 1300mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS331N/L99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS332P/D87Z
Texas Instruments
|
1 | 1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS332P/D87Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS336P
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, SUPERSOT-3 | NDS336P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N
Texas Instruments
|
1 | 1300mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS331N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N-NL
VBsemi Electronics Co Ltd
|
1 | N-channel 20 V MOSFET in SOT-23 package with 0.028 ohm RDS(on) at 4.5 V VGS, 6 A continuous drain current, and 8.8 nC gate charge, suitable for DC/DC converters and portable load switches. | NDS331N-NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS336P/L99Z
Texas Instruments
|
1 | 1200mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS336P/L99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS331N
National Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NDS331N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS332PX
Texas Instruments
|
1 | 1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS332PX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS336PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS336PS62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NDS332P/S62Z
Texas Instruments
|
1 | 1000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS332P/S62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||