Showing 25 of 97 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS356AP
onsemi
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1 | Obsolete - -30V P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | SOT23 (3-Pin) | NDS356AP |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS352AP
onsemi
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1 | -0.9 A, -30 V rDS(ON) = 0.5 Ω @ VGS = -4.5 V rDS(ON) = 0.3 Ω @ VGS = -10 V; Industry Standard Outline SOT-23 Surface Mount Package Using Proprietary SuperSOT™-3 Design for Superior Thermal and Electrical Capabilities.; High Density Cell Design for Extremely Low rDS(ON); Exceptional On-Resistance and Maximum DC Current Capability | SOT23 (3-Pin) | NDS352AP |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS351AN
onsemi
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1 | 1.4A, 30 V; RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = 10 V; RDS(ON) = 250 mΩ @ VGS = 4.5 V; High performance trench technology for extremelylow RDS(ON); Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOTTM-3 design for superior thermal and electrical capabilities; Ultra-Low gate charge | SOT23 (3-Pin) | NDS351AN |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS351N
onsemi
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1 | Obsolete - N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.7A, 85mΩ | SOT23 (3-Pin) | NDS351N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS355AN
onsemi
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1 | Exceptional on-resistance and maximum DC current capability ; Compact industry standard SOT-23 surface mount package ; Industry standard outline SOT-23 surface mount package using poprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities ; 1.7 A, 30 V. RDS(ON) = 0.125Ω @ VGS= 4.5 V RDS(ON) = 0.085 Ω @ VGS= 10 V ; High density cell design for extremely low RDS(ON) | SOT23 (3-Pin) | NDS355AN |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS351AN_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS351AN_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS352AP-T/R
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS352AP-T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS356P/L99Z
Texas Instruments
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1 | 1100mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS356P/L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS356PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS356PL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS356P
Texas Instruments
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1 | 1100mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS356P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS352AP/D87Z
Texas Instruments
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1 | 900mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS352AP/D87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS352P/S62Z
Texas Instruments
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1 | 850mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS352P/S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS356AP
Rochester Electronics LLC
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1 | 1100mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | NDS356AP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS356P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS356P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS355AN-F169
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | NDS355AN-F169 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS351NS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS351NS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS355N
Rochester Electronics LLC
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1 | 1600mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | NDS355N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS352P
Texas Instruments
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1 | 850mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | NDS352P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS352PS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS352PS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS352P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS352P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS356APD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS356APD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS355AND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS355AND87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS352P
Rochester Electronics LLC
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1 | 850mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-3 | NDS352P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS352P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS352P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDS355AN-NB9L007A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NDS355AN-NB9L007A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||