Showing 4 of 4 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTJD5121NT1G
onsemi
|
1 | Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on) ; Low Gate Threshold; Low Input Capacitance; ESD Protected Gate; AEC−Q101 Qualified | SOT23 (6-Pin) | NTJD5121NT1G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NTJD5121NT2G
onsemi
|
1 | Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on) ; Low Gate Threshold; Low Input Capacitance; ESD Protected Gate; AEC−Q101 Qualified | SOT23 (6-Pin) | NTJD5121NT2G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NTJD5121N1
onsemi
|
1 | MOSFET – Power, Dual, N-Channel With ESD | SOT23 (6-Pin) | NTJD5121N1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NTJD5121NT1G-001
onsemi
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.295A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTJD5121NT1G-001 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||