Showing 25 of 37 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4503NT1G
onsemi
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1 | Leading Planar Technolgy for Low Gate Charge/Fast Switching; 4.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive; SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3x3mm); RoHS Compliant | SOT23 (3-Pin) | NTR4503NT1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4502PT1G
onsemi
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1 | Leading Planar technology for Low gate Charge/Fast Switching; Low RDS(on) for Low Conduction Losses; SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3x3mm); RoHS Compliant | SOT23 (3-Pin) | NTR4502PT1G |
3
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NTR4501NT1G
onsemi
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1 | Leading Planar Technolgy for Low Gate Charge / Fast Switching; 2.5 V rated for Low Voltage Gate Drive; SOT-23 Surface Mount For Small Footprint (3 mm x 3 mm); RoHS Compliant | SOT23 (3-Pin) | NTR4501NT1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4503NT1
Rochester Electronics LLC
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1 | 1500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, CASE 318-09, 3 PIN | NTR4503NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4502PT1
Rochester Electronics LLC
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1 | 1950mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN | NTR4502PT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4503NT3
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NTR4503NT3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4502PT1
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.95A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NTR4502PT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4502PT1G
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 30 V TrenchFET MOSFET in SOT-23 package with -5.6 A continuous drain current, 0.046 ohm typical RDS(on) at VGS = -10 V, and 11.4 nC gate charge, suitable for load switches and DC/DC converters. | NTR4502PT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4503NT3G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NTR4503NT3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4501N
Shikues Semiconductor
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1 | DS(ON) = 80mΩ @VGS=4.5V, 90mΩ @VGS=2.5V; Super High dense cell; SOT-23; Power Management, Portable Equipment. | NTR4501N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4503NT1
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NTR4503NT1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4501NT1
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.2A, 20V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | NTR4501NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4501NT1
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NTR4501NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4503NT3G
Rochester Electronics LLC
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1 | 1500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, CASE 318-09, 3 PIN | NTR4503NT3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4501NT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NTR4501NT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4503NT1G
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 30-V MOSFET in SOT-23 package with RDS(on) of 0.030 ohms at VGS = 10 V, continuous drain current of 6.5 A, and Qg of 4.5 nC, suitable for DC/DC converters. | NTR4503NT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4502PT1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 1130mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN | NTR4502PT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4501NT3
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.2A, 20V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | NTR4501NT3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4501NST1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | NTR4501NST1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4503N
Shikues Semiconductor
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1 | 30V/3.6A, RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V, 100mΩ@VGS=4.5V, SOT-23, Power Management, Portable Equipment. | NTR4503N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4502P
Shikues Semiconductor
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1 | P-Channel MOSFET, -20V/-3A, RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V, SOT-23, Power Management, Portable Equipment. | NTR4502P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4502PT3
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.95A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NTR4502PT3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4501NT3
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NTR4501NT3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4518NT1G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | NTR4518NT1G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTR4502PT3G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.95A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | NTR4502PT3G |
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