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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXH350N100H4Q2F2PG
onsemi
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1 | SiC Hybrid Module, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode | Other | NXH350N100H4Q2F2PG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXH350N100H4Q2F2P1G
onsemi
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1 | Module with low thermal impedance baseplate; Solder and press-fit options; 1000V low VCE(sat) IGBTs and 1200V SiC diode optimized combination for DC-AC conversion | Other | NXH350N100H4Q2F2P1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXH350N100H4Q2F2P1G-R
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | NXH350N100H4Q2F2P1G-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXH350N100H4Q2F2S1G-R
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | NXH350N100H4Q2F2S1G-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXH35C120L2C2SG
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | NXH35C120L2C2SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXH350N100H4Q2F2S1G
onsemi
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1 | Module with low thermal impedance baseplate; Solder and press-fit options; 1000V low VCE(sat) IGBTs and 1200V SiC diode optimized combination for DC-AC conversion | NXH350N100H4Q2F2S1G |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXH350N100H4Q2F2SG
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 329A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel | NXH350N100H4Q2F2SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXH35C120L2C2ESG
onsemi
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1 | IGBT Modules TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB | NXH35C120L2C2ESG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NXH35C120L2C2S1G
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | NXH35C120L2C2S1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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