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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRF10200CT
LITTELFUSE
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1 | Schottky Diodes & Rectifiers 2x 5A 200V Rectifier | Transistor Outline, Vertical | MBRF10200CT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF101BN
NXP
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1 | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V | Transistor Outline, Vertical | MRF101BN |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRF1060CTL
LITTELFUSE
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1 | LITTELFUSE - MBRF1060CTL - Schottky Rectifier, 60 V, 10 A, Dual Common Cathode, ITO-220AB, 3 Pins, 600 mV | Transistor Outline, Vertical | MBRF1060CTL |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ADUCRF101BCPZ128R7
Analog Devices
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1 | MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 64-Pin LFCSP EP T/R | Quad Flat No-Lead | ADUCRF101BCPZ128R7 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AHRF100
LITTELFUSE
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1 | Polymeric PTC Resettable Fuse 30V 1 A Ih Through Hole Radial, Disc | Other | AHRF100 |
3
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IRF1010EPBF
Infineon
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1 | IRF1010EPBF N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon | Transistor Outline, Vertical | IRF1010EPBF |
3
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MBRF10100-M3/4W
Vishay
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1 | Schottky Diodes & Rectifiers 10A,100V,TRENCH SKY RECT. | Other | MBRF10100-M3/4W |
3
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RF1-01B-D-00-75
Adam Tech
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1 | Socket; BNC; female; insulated; angled 90°; 75Ω; THT; POM | Other | RF1-01B-D-00-75 |
2
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IRF1010EZSTRLP
Infineon
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1 | INFINEON - IRF1010EZSTRLP - MOSFET, N-CH, 60V, 84A, TO-263 | Other | IRF1010EZSTRLP |
3
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IRF1010EZPBF
Infineon
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1 | 60V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET, EA | Transistor Outline, Vertical | IRF1010EZPBF |
3
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IRF1010ESTRLPBF
Infineon
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1 | MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC | Other | IRF1010ESTRLPBF |
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ERJH2RF1070X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 107 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJH2RF1070X |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERJ-H2RF1002X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 10000 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJ-H2RF1002X |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERJ-H2RF1052X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 10500 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJ-H2RF1052X |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERJ-H2RF1023X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 102000 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJ-H2RF1023X |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1005TF6SC9
ROHM Semiconductor
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1 | Fast Recovery Diode | Transistor Outline, Vertical | RF1005TF6SC9 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERJH2RF1022X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 10200 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJH2RF1022X |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100P218XKMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH_MOSFETS | Transistor Outline, Vertical | IRF100P218XKMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1001T2DHZC9
ROHM Semiconductor
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1 | Diode Array 1 Pair Common Cathode 200 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack | Other | RF1001T2DHZC9 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMPM4NRF10XBG
Toshiba
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1 | TXZ+ Family TMPM4N Group (1): 512 KB to 2048 KB. Data Flash: 32KB: 2.7 to 3.6 V | BGA | TMPM4NRF10XBG |
3
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MBRF10H150CTG
onsemi
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1 | Low Forward Voltage; Low Power Loss/High Efficiency; High Surge Capability; 10 A Total (5 A Per Diode Leg); Guard-Ring for Stress Protection; This is a Pb-Free Device Mechanical Characteristics:; Case: Epoxy, Molded; Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in; Weight (Approximately): 1.9 Grams; Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable; Lead Temperature for Soldering Purposes: 260C Max. for 10 Seconds | Transistor Outline, Vertical | MBRF10H150CTG |
3
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RF1001T2DNZC9
ROHM Semiconductor
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1 | Super Fast Recovery Diode | Transistor Outline, Vertical | RF1001T2DNZC9 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERJ-H2RF1050X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 105 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJ-H2RF1050X |
3
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RF101L2SDDTE25
ROHM Semiconductor
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1 | Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified) | Diodes Moulded | RF101L2SDDTE25 |
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ERJH2RF1072X
Panasonic
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1 | Power Rating 0.1W,Resistance 10700 Ohm,LxW(EIA) 1.0 x 0.5 (EIA:0402) mm | Other | ERJH2RF1072X |
3
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