Showing 25 of 85 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RFD12N06RLESM9A
onsemi
|
1 | Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models; UIS Rating Curve; Peak Current vs Pulse Width Curve; Switching Time vs RGS Curves; Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.063, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.071, VGS = 5V | Other | RFD12N06RLESM9A |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD120PBF
Vishay
|
1 | MOSFET N-Channel 100V 1.3A HVMDIP4 Vishay IRFD120PBF N-channel MOSFET Transistor, 1.3 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP | Dual-In-Line Packages | IRFD120PBF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD123PBF
Vishay
|
1 | VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A | Dual-In-Line Packages | IRFD123PBF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLE_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD12N06RLE_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM
Rochester Electronics LLC
|
1 | 12A, 60V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD12N06RLESM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLE
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD12N06RLE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESMT
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESMT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM9A
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLE
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD12N06RLE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESMT
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESMT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM9A_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM9A
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLE
Rochester Electronics LLC
|
1 | 18A, 60V, 0.063ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD12N06RLE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLE
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD12N06RLE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLE_NL
Rochester Electronics LLC
|
1 | 18A, 60V, 0.063ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, LEAD FREE PACKAGE-3 | RFD12N06RLE_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD12N06RLESM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RFD12N06RLESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD12N06RLESM9A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
100RFD123J
Rubycon Corporation
|
1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 100V, 0.012uF, SURFACE MOUNT, 3122, CHIP | 100RFD123J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD122R
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD122R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD122
Freescale Semiconductor
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,1.1A I(D),TO-250VAR | IRFD122 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD123R
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD123R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFD121R
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD121R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||