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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LESM9A
onsemi
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1 | 16A, 60V; Peak Current vs Pulse Width Curve; UIS Rating Curve; Can be Driven Directly from CMOS, NMOS,and TTL Circuits; rDS(ON)= 0.047Ω; Temperature Compensating PSPICE® Model; Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards” | Other | RFD16N06LESM9A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05LSM9A
onsemi
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1 | Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, TTL Circuits; Majority Carrier Devicee; UIS SOA Rating Curve (Single Pulse); Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”; Nanosecond Switching Speeds; 16A, 50V; High Input Impedance; SOA is Power Dissipation Limited; Linear Transfer Characteristics; Design Optimized for 5V Gate Drives; rDS(ON)= 0.047Ω | Other | RFD16N05LSM9A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05LSM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05LSM9A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05SM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N02LSM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N02LSM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05SM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05SM9A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05LSM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05LSM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N03L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05LSM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05LSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LE
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD16N06LE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05LSM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05LSM_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LE
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05LSM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05LSM |
0
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RFD16N06LESM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06LESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06SM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N06SM9A |
0
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RFD16N05SM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05SM_NL |
0
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RFD16N05LSM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05LSM9A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N05_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LESM
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N06LESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N02L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N02L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05SM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05SM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06LESM9A |
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RFD16N02LSM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N02LSM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N03LSM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N03LSM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||