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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LESM9A
onsemi
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1 | N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 16A, 47mohm | Other | RFD16N06LESM9A |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05LSM9A
onsemi
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1 | N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 16A, 47mΩ | Other | RFD16N05LSM9A |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N02LSM9A
Intersil Corporation
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1 | 16A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N02LSM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05LSM9A
Intersil Corporation
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1 | 16A, 50V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N05LSM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05SM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | RFD16N05SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05SM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA VARIANT, 3 PIN | RFD16N05SM9A_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05LSM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05LSM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N03L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N03L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N06LESM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06LESM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N06LE
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD16N06LE |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N06SM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N06SM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05LSM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE PACKAGE-3 | RFD16N05LSM_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N06LE
Intersil Corporation
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1 | 16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD16N06LE |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N03LSM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N03LSM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05LSM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05LSM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N03LSM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA VARIANT, 3 PIN | RFD16N03LSM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N06SM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05LSM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 50V, 0.056ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252AA VARIANT, 3 PIN | RFD16N05LSM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N06SM9A
Intersil Corporation
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1 | 16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N06SM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N06LESM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN | RFD16N06LESM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE PACKAGE-3 | RFD16N05_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N02L
Intersil Corporation
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1 | 16A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD16N02L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05SM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | RFD16N05SM_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05LSM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252AA VARIANT, 3 PIN | RFD16N05LSM9A_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N06LESM
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD16N06LESM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||