Showing 25 of 44 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM9A
onsemi
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1 | Peak Current vs Pulse Width Curve; Temperature Compensating PSPICE® Model; Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards”; UIS Rating Curve; 11A, 60V; rDS(ON)= 0.107Ω | Other | RFD3055LESM9A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LE
onsemi
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1 | UIS Rating Curve; Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”; Temperature Compensating PSPICE® Model; Peak Current vs Pulse Width Curve; 11A, 60V; rDS(ON)= 0.107Ω | Transistor Outline, Vertical | RFD3055LE |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055RLESM
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD3055RLESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055RLE
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD3055RLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055SM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LE
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 60V, 0.107ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD3055LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD3055LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055SM
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | RFD3055SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LE
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD3055LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055SM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055SM9A_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055RLE
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD3055RLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055SM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055SM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055SM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055SM_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055SM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 60V, 0.107ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252 VARIANT, 3 PIN | RFD3055LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055SM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | RFD3055SM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055RLE
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD3055RLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LESM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM9A_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||