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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD3055LE
onsemi
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1 | Last Shipments - 6A, 600V, Hyperfast Diode | Transistor Outline, Vertical | RFD3055LE |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LESM9A
onsemi
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1 | MOSFET, Fairchild, RFD3055LESM9A | Other | RFD3055LESM9A |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055RLE
Intersil Corporation
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1 | RFD3055RLE | RFD3055RLE |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055RLESM
Intersil Corporation
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1 | RFD3055RLESM | RFD3055RLESM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 11A, 107mΩ, TO-251 (I-PAK) MOLDED, 3 LEAD OPTION AA, 1800/RAIL | RFD3055LE |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055SM
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 | RFD3055SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LESM9A
Intersil Corporation
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD3055LESM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055SM
Intersil Corporation
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN | RFD3055SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LE
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 60V, 0.107ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD3055LE |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055RLE
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD3055RLE |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LE
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD3055LE |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055SM9A_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | RFD3055SM9A_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LESM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055LESM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055RLESM
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFD3055RLESM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LESM
Intersil Corporation
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1 | 11A, 60V, 0.107ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD3055LESM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, | RFD3055 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD3055 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055SM_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | RFD3055SM_NL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LESM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 60V, 0.107ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252 VARIANT, 3 PIN | RFD3055LESM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055SM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD3055SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055SM9A
Intersil Corporation
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN | RFD3055SM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055SM9A136
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | RFD3055SM9A136 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LE_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE PACKAGE-3 | RFD3055LE_NL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFD3055LESM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | RFD3055LESM |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||