Showing 25 of 355 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRM140T3
Rochester Electronics
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1 | • Small Footprint − Footprint Area of 8.45 mm2 | Other | MBRM140T3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RN4870-V/RM140
Microchip
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1 | Bluetooth Modules - 802.15.1 Bluetooth Low Energy BLE Module, Shielded, Antenna, ASCII Interface, 12x22mm | Other | RN4870-V/RM140 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RN4871-I/RM140
Microchip
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1 | Bluetooth Bluetooth v5.0 Transceiver Module 2.402GHz ~ 2.48GHz Integrated, Chip Surface Mount | Other | RN4871-I/RM140 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRM140T3
onsemi
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1 | Obsolete - Schottky Barrier Rectifier | Other | MBRM140T3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRM140T1G
onsemi
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1 | Low Profile - Maximum Height of 1.1 mm; Small Footprint - Footprint Area of 8.45 mm2; Low VF Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life; Supplied in 12 mm Tape and Reel; Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on Exposed Cathode Heat Sink Mechanical Characteristics:; Powermite is JEDEC Registered as DO-216AA; Case: Molded Epoxy; Epoxy Meets UL94V-0 at 1/8"; Weight: 62 mg (approximately); Device Marking: BCJ; Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes. 260°C Maximum | Other | MBRM140T1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRM140T3G
onsemi
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1 | Low Profile - Maximum Height of 1.1 mm; Small Footprint - Footprint Area of 8.45 mm2; Low VF Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life; Supplied in 12 mm Tape and Reel; Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on Exposed Cathode Heat Sink Mechanical Characteristics:; Powermite is JEDEC Registered as DO-216AA; Case: Molded Epoxy; Epoxy Meets UL94V-0 at 1/8"; Weight: 62 mg (approximately); Device Marking: BCJ; Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes. 260°C Maximum | Other | MBRM140T3G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RN4870-I/RM140.
Microchip
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1 | BLE MODULE, V5.0, 2.402-2.48GHZ, 85DEG C | Other | RN4870-I/RM140. |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RN4870-I/RM140
Microchip
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1 | Bluetooth Modules (802.15.1) Bluetooth Low Energy BLE Module, Shielded, Antenna, ASCII Interface, 12x22mm | Other | RN4870-I/RM140 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RN4871-V/RM140
Microchip
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1 | Bluetooth Modules (802.15.1) Bluetooth Low Energy BLE Module, Shielded, Antenna, ASCII Interface, 9x11.5mm | Other | RN4871-V/RM140 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM140N150BHD
Rectron Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 150V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RM140N150BHD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM140N100DFV-W
Rectron Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor | RM140N100DFV-W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM14000CT
Cal-Chip Electronics
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1 | Metal Glaze/thick Film, 0.33W, 0ohm, Surface Mount, 1210 | RM14000CT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM140N150BT2
Rectron Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 150V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RM140N150BT2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM140N150BT7
Rectron Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AA | RM140N150BT7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM1400HA-24S
Mitsubishi Electric
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1400A, 1200V V(RRM), Silicon | RM1400HA-24S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM140N150AT2
Rectron Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RM140N150AT2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM140N82T2
Rectron Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor | RM140N82T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM140N150T2
Rectron Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 150V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | RM140N150T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RM14000CT-LF
Cal-Chip Electronics
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1 | Metal Glaze/thick Film, 0.33W, 0ohm, Surface Mount, 1210 | RM14000CT-LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2RM1400M-8
Pulse Electronics Corporation
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1 | Gas Discharge Tube Suppressor | 2RM1400M-8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRM140R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.13ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | FRM140R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HRM140AA1000
Xiamen Hualian Electronics Co Ltd
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1 | Photo IC | HRM140AA1000 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRM140D2
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FRM140D2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TA35-C37RM140-CZM23
Schurter Electronic Components
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1 | Thermal Circuit Breaker, 2 Pole(s), 14A, 240VAC, 60VDC, Panel Mount | TA35-C37RM140-CZM23 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TA35-CEDRM140C0-CZM23
Schurter Electronic Components
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1 | Thermal Circuit Breaker, 2 Pole(s), 14A, 240VAC, 60VDC, Panel Mount | TA35-CEDRM140C0-CZM23 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||