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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4816BDY-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | Small Outline Packages | SI4816BDY-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4812BDY-T1-E3
Vishay
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1 | SI4812BDY-T1-E3, N-channel MOSFET Transistor 7.3 A 30 V, 8-Pin SOIC | Small Outline Packages | SI4812BDY-T1-E3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4812BDY-T1-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode | Other | SI4812BDY-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4816BDY-T1-E3
Vishay
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1 | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 | Small Outline Packages | SI4816BDY-T1-E3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4810DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4810DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4812BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | SI4812BDY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4810BDY-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI4810BDY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4816DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4816DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4818DY-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4818DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4812BDY-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4812BDY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4810DY
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4810DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4816BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4816BDY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4812DY
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4812DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4816BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4816BDY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4812BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | SI4812BDY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4818DY
Vishay Siliconix
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1 | Transistor | SI4818DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4814DY
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4814DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4816DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4816DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4810BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4810BDY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4818DY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SI4818DY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4816DY
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4816DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4814DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4814DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4818DY-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4818DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4816DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4816DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4812BDY-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4812BDY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||