Showing 25 of 30 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4890DY-T1-E3
Vishay
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1 | MOSFET 30V 11A 2.5W | Small Outline Packages | SI4890DY-T1-E3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4896DY-T1-E3
Vishay
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1 | MOSFET 80V Vds 20V Vgs SO-8 | Small Outline Packages | SI4896DY-T1-E3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4894BDY-E3
Vishay
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1 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Small Outline Packages | SI4894BDY-E3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4896DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 80V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4896DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4892DY-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4892DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4896DY
Vishay Siliconix
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1 | Transistor | SI4896DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4894BDY-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI4894BDY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4896DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 80V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4896DY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4896DY-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 80V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4896DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4896DY-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4896DY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4890BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4890BDY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4890DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4890DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4896DY-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4896DY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4896DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 80V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4896DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4890DY-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4890DY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4894BDY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI4894BDY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4892DY-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4892DY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4896DY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 80V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4896DY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4890BDY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4890BDY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4890DY-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4890DY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4894DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4894DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4892DY-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4892DY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4894BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI4894BDY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4894BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI4894BDY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4896DY-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 80V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4896DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||