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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA427ADJ-T1-GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SIA427ADJ-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -12 A, -8 V, 0.013 ohm, -4.5 V, -800 mV | Other | SIA427ADJ-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA421DJ-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 | Other | SIA421DJ-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA427DJ-T1-GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SIA427DJ-T1-GE3 - MOSFET, P CH, -8V, -12A, POWERPAK SC70 | Other | SIA427DJ-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA425EDJ-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA425EDJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA4265EDJ-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 20V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA4265EDJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA426DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.0236ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA426DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA429DJT-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.0205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA429DJT-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA4263DJ-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA4263DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA421DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA421DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA429DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.0205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA429DJT-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA426DJ-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.0236ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA426DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA427DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 8V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA427DJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIA425EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIA425EDJ-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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