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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2309CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V | SOT23 (3-Pin) | SQ2309CES-T1_GE3 |
3
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SQ2303ES-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SQ2303ES-T1_BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2309ES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified | SOT23 (3-Pin) | SQ2309ES-T1_GE3 |
3
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SQ2308CES-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SQ2308CES-T1_BE3 |
3
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SQ2308FES-T1_GE3
Vishay
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1 | • TrenchFET® Power MOSFET• AEC-Q101 Qualified• 100 % Rg and UIS Tested• Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 | SOT23 (3-Pin) | SQ2308FES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2308CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified | SOT23 (3-Pin) | SQ2308CES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2301ES-T1_GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SQ2301ES-T1_GE3 - MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -20V, SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SQ2301ES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2303ES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | SOT23 (3-Pin) | SQ2303ES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2309ES-T1-GE3
Vishay
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0 | Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | SOT23 (3-Pin) | SQ2309ES-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2303ES-T1-GE3
Vishay
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1 | Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | SOT23 (3-Pin) | SQ2303ES-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2303P12NF
Qnity Laird
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1 | RF/Microwave Antenna, 2300MHz Min, 2500MHz Max, 3.5dB Gain | SQ2303P12NF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2309CES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SQ2309CES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2308CES-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2308CES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2303ES-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2303ES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2301ES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2301ES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2309ES-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.335ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | SQ2309ES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2303P
Qnity Laird
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1 | Base Station/Broadcast Transmission Antenna, 2300MHz Min, 2500MHz Max, 3.5dB Gain | SQ2303P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2309ES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 0.335ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | SQ2309ES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2301ES-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2301ES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ23-010
Artesyn Embedded Technologies
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1 | Analog Circuit | SQ23-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ23-006
Artesyn Embedded Technologies
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1 | Analog Circuit | SQ23-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2303CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | SQ2303CES-T1_GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ23-020
Artesyn Embedded Technologies
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1 | Analog Circuit | SQ23-020 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MSQ23003
BlockMaster Blocks
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1 | Barrier Strip Terminal Block | MSQ23003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ23-006K2I
Semiconductor Circuits Inc
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1 | AC-DC Regulated Power Supply Module, 2 Output, 0.9W, Hybrid | SQ23-006K2I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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