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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2310ES-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 20V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SQ2310ES-T1_BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2315CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2315CES-T1_GE3 |
3
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SQ2318BES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 26.3 mO @ 10V mO @ 7.5V 32 mO @ 4.5V | SOT23 (3-Pin) | SQ2318BES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2310CES-T1_GE3
Vishay
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1 | Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2310CES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2318CES-T1_GE3
Vishay
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1 | TrenchFET® power MOSFET• AEC-Q101 qualified• 100 % Rg and UIS tested• Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 | SOT23 (3-Pin) | SQ2318CES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2315ES-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFET P-CHANNEL 12V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SQ2315ES-T1_BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2318AES-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SQ2318AES-T1_BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2319ADS-T1_GE3
Vishay
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1 | Vishay SQ2319ADS-T1_GE3 P-channel MOSFET Transistor, 2.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SQ2319ADS-T1_GE3 |
3
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SQ2319ADS-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S). TrenchFET® power MOSFET• AEC-Q101 qualified c• 100 % Rg and UIS tested• Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912 | SOT23 (3-Pin) | SQ2319ADS-T1_BE3 |
3
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SQ2319CES-T1_GE3
Vishay
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1 | P-Channel 40 V 4.6A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) ,40 V ,4.5V, 10V ,-55°C ~ 175°C | SOT23 (3-Pin) | SQ2319CES-T1_GE3 |
3
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SQ2318AES-T1_GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - MOSFET, AUTO, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SQ2318AES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2310ES-T1_GE3
Vishay
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1 | Vishay SQ2310ES-T1_GE3 N-channel MOSFET, 6 A, 20 V SQ Rugged, 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SQ2310ES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2315ES-T1-BE3
Vishay
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1 | MOSFET 12V P-CHANNEL (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SQ2315ES-T1-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2318ES-T1-GE3
Vishay
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1 | Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2318ES-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2310ES-T1_GE4
Vishay
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1 | Vishay SQ2310ES-T1_GE4 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SQ2310ES-T1_GE4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2310ES-T1
Vishay
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1 | Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2310ES-T1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2315ES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified | SQ2315ES-T1_GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2318BES
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 0.0263ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2318BES |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2319ES-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 40V, 0.082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SQ2319ES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2315ES-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | SQ2315ES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2319ES-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 40V, 0.082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SQ2319ES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2319CES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 40V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SQ2319CES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2318CES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | SQ2318CES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2310CES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2310CES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2310ES-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2310ES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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