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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2362ES-T1_GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - MOSFET, AUTO, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | SQ2362ES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361ES-T1_GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, -2.8 A, -60 V, 0.13 ohm, -10 V, -2.5 V | SOT23 (3-Pin) | SQ2361ES-T1_GE3 |
3
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SQ2361AEES-T1_GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SQ2361AEES-T1_GE3 - MOSFET, AUTO, P-CH, -60V, -2.8A | SOT23 (3-Pin) | SQ2361AEES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2364EES-T1_GE3
Vishay
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1 | Automotive N-Channel 60 V (D-S)175C MOS | SOT23 (3-Pin) | SQ2364EES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2362CES-T1_GE3
Vishay
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1 | Power MOSFET, N Channel, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Surface Mount , 3W , -55°C to +175°C | SOT23 (3-Pin) | SQ2362CES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361ES-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S) | SOT23 (3-Pin) | SQ2361ES-T1_BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361CES-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2361CES-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2364EES-T1_
Vishay
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1 | Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET | SOT23 (3-Pin) | SQ2364EES-T1_ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2364EES
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2364EES |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361CEES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | SQ2361CEES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2360EES-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 60V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SQ2360EES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361CES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.177ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SQ2361CES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361CEES-T1_GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | SQ2361CEES-T1_GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361EES-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | SQ2361EES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361AEES-T1_BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | SQ2361AEES-T1_BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361ES-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.177ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2361ES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2364EES-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SQ2364EES-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2362ES
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SQ2362ES |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2361EES-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | SQ2361EES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2360EES-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SQ2360EES-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ2362ES-T1_BE3
Vishay
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1 | MOSFET 1 Channel Enhancement 3W SOT-23-3 N-Channel | SQ2362ES-T1_BE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSQ2369
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116 | NSQ2369 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSQ2369
Transistor Specialtys Inc
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1 | Transistor | TSQ2369 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTMM-130-06-S-Q-236
Samtec Inc
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1 | Board Connector, 120 Contact(s), 4 Row(s), Male, Straight, 0.079 inch Pitch, Solder Terminal, Locking | MTMM-130-06-S-Q-236 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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