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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQJ912DEP-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L, 7.3 mO @ 10V mO @ 7.5V 10.2 mO @ 4.5V | Other | SQJ912DEP-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQJ912AEP-T2_BE3
Vishay
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1 | MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) | Other | SQJ912AEP-T2_BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQJ910AEP-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | Other | SQJ910AEP-T1_GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQJ912AEP-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFET 40V 30A 48W AEC-Q101 Qualified | Other | SQJ912AEP-T1_GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQJ914EP-T1_GE3
Vishay
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1 | MOSFETs Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified | Other | SQJ914EP-T1_GE3 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQJ914EP
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.012ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQJ914EP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQJ912BEP
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.011ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQJ912BEP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.011ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQJ912BEP-T1_GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQJ914EP-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.012ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQJ914EP-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQJ912DEP
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.0073ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SQJ912DEP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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